一、產品概述

二、主要特點

1. 測量性能卓越
   • 能夠實現高達 360° 的精確角度測量和線性位置檢測，同時支持 3D 位置檢測，可從磁場分量計算出兩個角度11。
   • 具備磁場雜散場補償功能，可有效減少外部磁場干擾，確保測量的準確性12。
2. 輸出靈活多樣
   • 提供 PWM 或 SENT 輸出，數字輸出格式可由用戶配置，滿足不同系統的接口需求6。
   • 在 SENT 模式下，支持多種幀格式，如 H.1、H.2 和 H.4 格式，且可配置暫停脈沖、傳輸錯誤診斷報告等功能242526。
3. 功能安全可靠
   • 定義為 SEooC ASIL B ready，符合 ISO 26262 標準，具備集成診斷機制，可在啟動和正常運行期間進行自檢，提高系統的可靠性和安全性727。
4. 其他特性
   • 工作溫度范圍廣，從 -40°C 到 150°C，結溫最高可達 170°C，可適應多種惡劣環境13。
   • 電源電壓范圍為 3V 至 18V，具備可編程的輸出斜率、采樣頻率高達 8kSps 等特性141516。

三、應用領域

四、功能描述

1. 工作原理
   • 基于霍爾效應技術，通過內置的水平和垂直霍爾板陣列感知磁場變化，測量磁場分量，并經過一系列信號處理步驟，包括 A/D 轉換、濾波、溫度補償、線性化、偏移補償和雜散場補償等，最終計算出位置信息171819。
2. 信號路徑
   • 傳感器的信號路徑包含多種功能模塊，如增益調整、偏移補償、低通濾波、相位校正、角度計算、線性化、幅度計算等，各模塊協同工作，確保輸出信號的準確性和穩定性。信號路徑中的參數可通過非易失性存儲器中的寄存器進行配置，以適應不同的測量需求2021。
3. 寄存器定義
   • 包括 RAM 寄存器和 EEPROM 寄存器。RAM 寄存器用于存儲測量數據，如溫度補償后的磁場信息、角度計算結果等；EEPROM 寄存器則用于配置傳感器的各種功能和參數，如應用模式、測量配置、輸出格式、增益和偏移補償等。用戶可通過編程接口對這些寄存器進行讀寫操作，實現對傳感器的靈活配置212223。

五、規格參數

1. 電氣特性
   • 工作電壓范圍為 3V 至 18V，輸出電壓（PWM/SENT）在不同配置下有相應限制，輸出電流范圍為 -125mA 至 125mA。具備過壓和欠壓檢測功能，閾值可由用戶編程配置303133。
2. 性能指標
   • 在推薦工作條件下，具有典型的電源電流、內部振蕩器頻率、采樣頻率等參數。輸出特性方面，如推挽和開漏配置下的輸出電壓、電阻、漏電流等指標明確，同時具備可編程的 PWM 頻率、占空比范圍以及 SENT 輸出的相關參數，如時鐘滴答時間、啟動時間、延遲等363738。
3. 溫度特性
   • 工作溫度范圍為 -40°C 至 150°C，結溫范圍為 -40°C 至 190°C，存儲溫度范圍為 -55°C 至 150°C。在不同溫度下，傳感器的性能參數如角度誤差、靈敏度等會有一定的漂移，但均在規定范圍內133134。
4. 封裝與尺寸
   • 采用 TO92UF - 2 封裝，尺寸為 19.9mm（長）×4.0mm（寬）×7.33mm（高），重量約為 0.287g。引腳配置包括電源（VSUP）、地（GND）、測試引腳（TEST1、TEST2）和輸出引腳（OUT），輸出引腳可用于 PWM/SENT 輸出和編程2829。

六、使用注意事項

1. 操作條件限制
   • 應在推薦的工作條件下使用，避免超出絕對最大額定值，否則可能導致設備永久性損壞。同時，長時間暴露在絕對最大額定條件下會影響設備的可靠性3235。
2. 編程與配置
   • 編程時需注意遵循正確的編程協議和流程，如通過傳感器輸出引腳進行編程，使用 BiPhase - M 協議調制輸出電壓。在編程過程中，應采取防靜電措施，避免 ESD 干擾編程脈沖。編程完成后，需將 LOCK 位設置為 1 以鎖定設置，并檢查鎖定狀態和傳感器的響應，確保編程成功394041。
3. 安全警示
   • 產品包含有毒的氧化鈹陶瓷部分，在處理和安裝過程中必須小心，避免損壞該區域，防止氧化鈹粉塵泄漏。此外，該產品未設計用于生命支持系統、軍事、航空或航天等關鍵應用，除非另有書面協議12。